Snapdragon 870, 50 Мп, 4500 мА·ч и 65 Вт. Раскрыты характеристики Realme GT Master Exploration Edition
На следующей неделе Realme, как ожидается, представит новый смартфон GT Master Exploration Edition, но характеристики модели можно оценить уже прямо сейчас. Новинка построена на однокристальной платформе Qualcomm Snapdragon 870 5G и работает под управлением Android 11 с интерфейсом Realme UI 2.0.
Смартфон получил изогнутый экран AMOLED диагональю 6,55 дюйма разрешением Full HD+ с кадровой частотой 120 Гц, частотой опроса сенсорного слоя 480 Гц и встроенным сканером отпечатков пальцев. Основная камера представлена тремя датчиками разрешением 50, 16 и 2 Мп, во фронтальной камере применяется датчик разрешением 32 Мп. Емкость аккумуляторной батареи составила 4500 мА·ч, поддерживается быстрая зарядка мощностью 65 Вт. Есть адаптер NFC.
У Realme GT Master Exploration Edition три варианта памяти: 6/128, 8/256 и 12/512 ГБ. Также предусмотрена возможность расширения ОЗУ за счет 5 или 7 ГБ виртуальной памяти. Толщина корпуса смартфона составляет 8,1 мм, масса – 185 граммов.
Источник: iXBT.com
Обсуждение новости
Предыдущие новости
Компания Samsung Electronics подала заявку на налоговые льготы, рассматривая возможность построить фабрику по производству микросхем, стоимость которой оценивается в 17 млрд долларов, не в Остине, где у южнокорейского производителя уже есть подобное предприятие, а в другом месте штата Техас.
Некоторые вендоры время от времени обновляют свои хитовые модели бюджетного уровня. За основу берется дизайн популярного смартфона и вносятся правки. Недавно таким образом был обновлен Redmi Note 8: Xiaomi заменила чипсет Qualcomm на MediaTek и выпустила Redmi Note 8 (2021) на рынок.
Объем данных, хранящихся и обрабатываемых в Интернете, сегодня практически невозможно определить (а также представить). По оценкам еженедельника Newsweek (данные за март 2021г.), каждый пользователь сети создает около 12 гигабайт данных ... в год!
В Китае представлен смартфон Vivo S10 Pro, который по совокупности параметров выглядит сейчас едва ли не основным конкурентом представленным в прошлом месяце смартфонам Honor 50.
Компания TSMC не раз заявляла, что начнёт серийное производство 3-нм продукции во второй половине 2022 года, но при этом будет придерживаться традиционной структуры транзисторов FinFET.
|