Первое поколение 3-нм техпроцесса будет доступно только собственному подразделению Samsung

Компания TSMC не раз заявляла, что начнёт серийное производство 3-нм продукции во второй половине 2022 года, но при этом будет придерживаться традиционной структуры транзисторов FinFET. Конкурирующая Samsung готова предложить 3-нм техпроцесс в сопоставимые сроки, причём с новой структурой транзисторов с окружающим затвором. Эксперты считают, что первым клиентом Samsung на этом направлении станет сама корейская компания.

На подобные мысли аналитиков наталкивает, как отмечает Business Korea, просочившийся в китайские социальные сети слайд с мероприятия Samsung для клиентов, которое состоялось в этом месяце. Перспективный план перехода на новые техпроцессы подразумевает использование техпроцесса 3GAP с более сложной структурой в 2023 году. Ранее считалось, что Samsung начнёт выпуск 3-нм продукции по более простой технологии 3GAE в 2022 году, и представителям AnandTech удалось подтвердить по официальным каналам, что данный план всё ещё в силе.

Исчезновение техпроцесса 3GAE со слайда Samsung для клиентов может объясняться решением компании использовать первое поколение технологии для своих собственных нужд. По словам представителей компании, переговоры с клиентами об использовании GAE тоже ведутся. За счёт перехода на 3-нм техпроцесс Samsung стремится добиться увеличения плотности размещения транзисторов на 35 %, их производительность увеличится на 15 %, либо удастся снизить энергопотребление на 30 %. Недавно компания объявила, что совместно с Synopsys уже получила первые цифровые проекты 3-нм изделий, использующих структуру транзисторов GAA с окружающим затвором.

Samsung собирается начать массовое производство 4-нм продуктов первого поколения в этом полугодии, до второго поколения данная технология дозреет уже в следующем году. TSMC освоит опытное производство 4-нм компонентов в этом квартале. Представители Qualcomm ранее выразили опасение, что серийные 3-нм процессоры в исполнении Samsung смогут появиться не ранее 2024 года.