Разработчики наряду с инженерами из Иллинойского университета создали энергонезависимую память с ультранизким энергопотреблением, которая способна обеспечить появление потребительских карманных устройств, не нуждающихся в подзарядке недели и даже месяцы. Исследования ведут вокруг существующей технологии, которая известна как память с фазовым переходом. Фишкой новинки является использование углеродных нанотрубок толщиной в 10 тысяч меньше толщины человеческого волоса вместо традиционных в данном случае металлических проводников.
Прототип работает быстрее, нежели оригинальная память, притом что он потребляет в 100 раз меньше энергии, и в дальнейшем этот показатель вполне способен увеличить свой порядок. Память с фазовым переходом опирается на халькогениды, стеклянное вещество, содержащее посеребренные полупроводники, такие как сера, селен или теллур. Искомые полупроводники обладают возможностью менять собственное физическое состояние, которое выражается упорядочиванием атомов, из кристаллического в аморфное путем приложения небольшой порции электричества. А так как у этих двух состояний возможности электросопротивления различны и могут быть легко измерены, халькогениды выступают идеальным материалом для хранения данных. Нанотрубочная память с фазовым переходом ставится перспективным направлением технологических изысканий, ведь для современных устройств по-прежнему болезненным выступает вопрос энергопотребления и соответствующей длительности работы на одной подзарядке.