Samsung показала президенту США новейший 3-нм чип
В ходе визита президента США Джо Байдена (Joe Biden) в Южную Корею он посетил завод Samsung Electronics, на котором ему должны были продемонстрировать новейший чип, произведённый по технологии 3 нм. Кроме того Байден высказался о сотрудничестве с Южной Кореей, в том числе в полупроводниковой сфере.
Это первый визит американского главы государства в азиатскую страну с момента его вступления в должность — 10 дней назад вступил в должность и новый президент Южной Кореи Юн Сок Ёль (Yoon Suk-yeol). Трёхдневный визит Байдена начался с посещения комплекса Samsung в г. Пхёнтхэке — это крупнейший в мире завод по производству полупроводниковой продукции, он расположен в 70 км к югу от Сеула.
Корейское агентство Yonhap News сообщает, что личную экскурсию по огромному комплексу американскому политику провёл вице-президент Samsung Electronics Ли Чжэ Ён (Lee Jae-yong). Компания показала господину Байдену 3-нм чип нового поколения, произведённый по технологии Gate-All-Around (GAA) — массовое производство таких полупроводников стартует в ближайшие месяцы.
Как говорят в Samsung, технология GAA позволяет снизить размеры компонентов на 35 %, обеспечивая при этом повышение производительности на 30 % или снижение электропотребления на 50 % в сравнении с чипами на основе техпроцесса 5 нм. Компания также заявила, что уже ведётся разработка технологических узлов 2 нм, а массовое производство на их основе запланировано на 2025 год.
Тем не менее, мировым лидером в контрактном производстве чипов остаётся тайваньская TSMC, которая, по версии аналитиков TrendForce, в IV квартале прошлого года удерживала 52,1 % мирового рынка, а занявшая второе место Samsung имела долю лишь 18,3 %.
Байден подчеркнул необходимость технологического партнёрства между США и Южной Кореей. «Эта фабрика тому доказательство, — сказал он. — Это даёт как Корее, так и Соединённым Штатам конкурентное преимущество в мировой экономике, если мы сможем сохранить устойчивость, надёжность и безопасность наших цепочек поставок».
Источник: 3DNews.ru
Обсуждение новости
Предыдущие новости

Опубликованный в Сети скриншот говорит о появлении в мире нового супермощного смартфона. Он установил рекорд производительности AnTuTu, набрал 1 118 000 баллов. Вот только что это за смартфон и кто его сделал – непонятно: ни марка, ни модель не определены.

Компания Vivo представила смартфон среднего уровня Y75 4G, построенный на аппаратной платформе MediaTek. В качестве операционной системы применяется Funtouch OS 12 на основе Android 12.

Лу Вейбинг (Lu Weibong), занимающий пост президента Xiaomi Group China и генерального директора Redmi, опубликовал на своей страничке в социальной сети Weibo новые тизеры грядущей презентации.

Информация из базы регулятора 3C подтверждает, что смартфон Samsung Galaxy Z Flip4 получит более ёмкий аккумулятор, чем текущая модель. Если точнее, ёмкость составит 3595 мАч против 3300 мАч у Flip3.

Бренд Poco, представленный китайской компанией Xiaomi в августе 2018 года, вскоре анонсирует смартфон X4 GT. Технические характеристики аппарата оказались в распоряжении интернет-источников.
|